74AUP2G3407是带开漏输出的单路缓冲器。该器件具有两个输入针脚(nA)、一个输出针脚(1Y)和一个开漏输出针脚(2Y)。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6?V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000?V
  • MM JESD22-A115-A超过200?V
  • CDM JESD22-C101E超过1000?V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100?mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10?%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C到+85?°C和-40?°C到+125?°C

• BZT52H-C8V2 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• MMBZ27VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
• NT3H1101/NT3H1201 - NTAG I2C - Energy harvesting NFC Forum Type 2 Tag with field detection pin and I2C interface
• BUK9C07-65BIT - N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
• PESD5V0V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• BZX79-B47 - 稳压器二极管
• BLP8G10S-45P(G) - 功率LDMOS晶体管
• BUK7635-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX884-C10 - 稳压器二极管
• SSL5021/SSL5031 - Compact non-dimmable low ripple / low THD LED driver IC