74AUP2G32提供双路2输入或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVT162244B - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器，具有30 Ohm端接电阻
• BLF7G15LS-300P - 功率LDMOS晶体管
• PBSS5540X - 40 V、5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP2G06GN - 低功耗双路反相器，带开漏输出
• PEMH1; PUMH1 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• PESD3V3V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• 74AHCT30D - 8输入与非门
• 74AUP3G07GS - 低功耗三路缓冲器，带开漏输出
• NTAG213/215/216 - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144/504/888字节用户存储器
• 74AUP2G58DP - Low-power dual PCB configurable multiple function gate