
BLC8G27LS-60AV技术文档下载:
BLC8G27LS-60AV产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- TJR1442BT/0Z - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- TDA8024AT/C1,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用



BLC8G27LS-60AV - Power LDMOS transistor
BLC8G27LS-60AV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLC8G27LS-60AV是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLC8G27LS-60AV的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLC8G27LS-60AV相关的NXP元器件型号供参考。
BLC8G27LS-60AV - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
60 W LDMOS packaged asymmetrical Doherty power transistor for base station applications atfrequencies from 2300 MHz to 2690 MHz.
产品特性和优势
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low thermal resistance providing excellent thermal stability
- Decoupling leads to enable improved video bandwidth
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- RF power amplifier for LTE base stations and multi carrier applications in the 2300 MHz to 2690 MHz frequency range
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