74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74CBTLV3257D - 四路2选1多路复用器/解复用器
• BUK768R1-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU11B3A - 单倍齐纳二极管
• PZU15DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74AUP1G18GW - 低功耗2选1解复用器，具有3态取消选定输出
• 74HCT173DB - 四频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BZX84-C2V7 - 稳压器二极管
• KMA215 - 可编程角度传感器（带SAE J2716 SENT）
• 2N7002BKMB - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• PZU12B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管