74LVC1G02提供单路2输入或非功能。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN2R8-80BS - N沟道80 V，3 m?标准电平FET，采用D2PAK封装
• HEF4046B - 锁相环
• TEA1752T - 具有集成DCM/ QR PFC控制器的HV启动DCM/ QR返驰控制器
• 74LVC1G07GF - 缓冲器，带开漏输出
• BLF2425M7L(S)250P - 功率LDMOS晶体管
• 74LVC2G86GS - 双路2输入异或门
• PESD3V3C1BSF - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
• 74AUP2G240 - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7K52-60E - 双N沟道60 V，45 m?标准电平MOSFET
• PQMD12 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?47?kΩ，?R2?=?47?kΩ