74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHCT132D - 四路2输入与非施密特触发器
• PMZ1200UPE - 30 V, P-channel Trench MOSFET
• PZU16B2L - 单倍齐纳二极管
• PDTA123JU - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LVC1G04 - 单路反相器
• BZX585-B4V3 - 稳压器二极管
• PBSS5250X - 50 V、2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BLF8G20LS-140GV - Power LDMOS transistor
• BCM857BV; BCM857BS; BCM857DS - PNP/PNP匹配双晶体管
• IP4787CZ32 - DVI和HDMI接口的ESD、DDC/CEC缓冲、热插拔处理和反向驱动保护