74LVC1G04提供一个反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围从-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• PMEG3002EJ - 200 mA低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74AHC(T)1G126 - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BGU7044 - 1 GHz宽带低噪声放大器
• HEF4013BTT - 双路D型触发器
• BLF6G38(LS)-50 - WiMAX功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G74GS - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• 1PS79SB30 - 单倍肖特基势垒二极管
• PMV27UPEA - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• 74HC(T)2G32 - 双路2输入或门
• PESD5V0S2BT - 低电容双向双ESD保护二极管