74AUP2G125提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PMEG3020DEP - 2 A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• TFF11110HN - 低相位噪声本振发生器
• 74HC30PW - 8输入与非门
• KMA200 - 可编程角度传感器
• PDTC114T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• BUK9Y59-60E - N-channel 60 V, 59 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74AUP2G79GN - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT368PW - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• PCA9574BS - 带有复位和中断的8位I2C总线和SMBus、电平变换、低电压GPIO
• NVT4556BUK - SIM card interface level translator with I2C-bus control and LDO