74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• XC7WH14DC - 三路反相施密特触发器
• PEMD9 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HCT163DB - 可预设同步4位二进制计数器；同步复位
• PCA9545CPW - 4-channel I2C-bus switch with interrupt logic and reset
• SC16C652BIB48 - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有32字节FIFO以及红外(IrDA)编码器/解码器
• BSN20BK - 60 V, N-channel Trench MOSFET
• TEA1721BT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 905 Hz
• 74AHCT3G14DC - 三路反相施密特触发器
• 74HC14D - 十六进制反相施密特触发器
• PZU5.1B1A - 单倍齐纳二极管