74LVT162373是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是带非反相3态总线兼容输出的16位穿透D型锁存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。锁存使能变为低电平时，Q输出在从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间被锁存在D输入的电平。

74LVT162373设计为在输出的高电平和低电平状态中都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

• 16位穿透锁存器
• 3态缓冲器
• 输出能力：+12 mA / -12 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部电阻
• 上电重置
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• PTVS17VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BZV49-C15 - 稳压器二极管
• BZV85-C33 - 稳压器二极管
• PMEG060V050EPD - 60 V, 5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• PESD3V3L1UB - 低电容单向ESD保护二极管
• 74AUP1G74GN - 带设置和复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• PDTC115T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• BAT85 - 单倍肖特基势垒二极管
• PSMN9R0-25MLC - N沟道25 V 8.65 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PEMD6 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路