74AUP2G240提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PTVS16VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• CLF1G0035(S)-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• PSMN3R3-80BS - N沟道80 V，3.5 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74ALVC125PW - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7Y29-40E - N-channel 40 V, 29 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• PTVS33VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• 74AUP1G373GN - 低压D型透明锁存器；3态
• BUK9230-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HCT10PW - 三路3输入与非门
• TDF8546TH - I2C总线控制型4 x 45 W最佳效率放大器