74AUP3G34是三路缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• PIMH9 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10?kΩ，R2 = 47?kΩ
• BUK963R1-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PUMB3 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BFG21W - UHF功率晶体管
• BF620; BF622 - NPN高压晶体管
• 74AHC541PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74CBTLV3245BQ - 8位总线开关，具有输出使能
• NX5P1100UK - 逻辑控制的高侧电源开关
• BLF882S - 超高频LDMOS功率晶体管
• BZT52H-B62 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管