74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF8G20LS-160V - Power LDMOS transistor
• PLVA2600A series - 双倍低压雪崩稳压器二极管
• HEF4518B - 双路BCD计数器
• PDTC115EMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kΩ，R2 = 100 kΩ
• 74AHC1G14GW - 反相施密特触发器
• PESD3V3L1BA - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管
• 74LV4060DB - 带振荡器的14级二进制纹波计数器
• 74LVC2G32 - 双路2输入或门
• PESD12VL1BA - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管
• BZX84J-B62 - 单倍齐纳二极管