74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7Y12-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BC52-16PA - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• BUK7511-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74ABT162244DGG - 16位缓冲器/线路驱动器，具有30 Ω串联端接电阻；3态
• MIFARE Plus SE 1K - Secure contactless smart card IC for seamless migration
• PESD3V3L5UF - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• NX7002BKM - 60 V，N沟道Trench MOSFET
• PESD3V3L2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• PSMN070-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74HCT241DB - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态