74AUP1T58提供低功耗、低电压的可配置逻辑门功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能AND、OR、NAND、NOR、XOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个2.3 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

74AUP1T58针对逻辑电平转换应用设计，具有可接受1.8 V低压CMOS信号的输入切换电平，工作时采用2.5 V或3.3 V单电源电压。

电池电压从3.6 V降至2.3 V时，宽电源电压范围可确保正常运行。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

施密特触发器输入使电路容许整个VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 1.5 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AHCT164BQ - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BZX84J-C68 - 单倍齐纳二极管
• 74HCT1G126GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK7Y18-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU6.8BL - 单倍齐纳二极管
• 74HC1G14GW - 反相施密特触发器
• PBHV8115Z - 150 V，1 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• TL431CDBZR - 可调精度并联稳压器
• BGA6130 - 400 MHz至2700 MHz 1 W高效率硅放大器
• 74AUP1G17GN - 低功耗施密特触发器