74AUP1G17提供单路施密特触发缓冲器。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PESD5V0V1BL - 极低电容双向ESD保护二极管
• 74AVC8T245 - 8位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• BZX79-C27 - 稳压器二极管
• 74ALVC14 - 十六进制反相施密特触发器
• PZU12B2L - 单倍齐纳二极管
• BC69-25PAS - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• 74LVT162374DL - 带30 Ohm终端电阻的3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• BZX884-B4V7 - 稳压器二极管
• PMEG6030EP - 3 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• PSMN5R8-40YS - N沟道LFPAK 40 V 5.7 m?标准电平MOSFET