74AHC164；74AHCT164移位寄存器是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7A。

74AHC164；74AHCT164输入信号是通过两个输入（DSA或DSB）之一的8位串行信号；其中任意一个输入都可以用作高电平有效使能，实现通过另一个输入的数据输入。两个输入必须连接在一起或未使用的输入必须连接高电平。

数据在时钟输入(CP)每次从低电平跃迁至高电平时向右移一位并进入输出Q0，这即形成两个数据输入（DSA和DSB）的逻辑与功能，存在于上升时钟沿之前的一个设置时间。

主复位(MR)输入上的低电平覆盖所有其他输入并异步清零寄存器，从而将所有输出强制为低电平。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 输入电平：
  • 对于74AHC164：CMOS电平
  • 对于74AHCT164：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZV55-B3V9 - 稳压器二极管
• 74ALVC374 - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BF908 - N沟道双栅极MOSFET
• BCW69; BCW70 - PNP通用晶体管
• 74HCT138D - 3至8线路解码器、解复用器；反相
• PSMN3R5-80ES - N沟道80 V，3.5 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• 74HCT240DB - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• BAS40-07V - 通用肖特基二极管
• PESD5V0S1BA_BB_BL - 低电容双向ESD保护二极管
• BUK6507-75C - N沟道TrenchMOS FET