74AUP1G98提供可配置的多种功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能MUX、AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1G98具有施密特触发输入，因此能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT273PW - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• XC7SH32GW - 2输入或门
• BZX384-B75 - 稳压器二极管
• IP4254CZ8-4-TTL - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• PSMN017-30EL - N沟道30 V 17 m?逻辑电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PSMN7R8-120ES - N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• PMV130ENEA - 40 V，N沟道Trench MOSFET
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• 74HC4316PW - 四路双向开关
• BAS70H - 通用肖特基二极管