
PBSS5130QA技术文档下载:
PBSS5130QA产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- 1PS70SB10,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 74LVT00D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MC68MH360VR33L - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HCT9046AD,112 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- PEMI2QFN/HP,115 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- MPXA4115A6T1 - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器 > RTD(电阻温度检测器)
- HEF4015BP,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
- PESD12VS5UD,115 - 未分类 > 未分类
- FS32K144MST0MLHT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMXRT106VDVL6B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT42D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- MIMXRT685-EVK - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- MPC8323ECVRADDC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC33880DW - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
- SC16C652BIBS,128 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- MP3V5050GC6U - 压力传感器、变送器
- PSMN030-150P,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74LV123N,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- TDA8547TS/N1,118 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- S9S12VR64AF0VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PBSS5130QA - 30 V,1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS5130QA是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS5130QA是30 V,1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS5130QA的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS5130QA相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS5130QA - 30 V,1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用无引脚超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有可见且可焊的侧焊盘。
NPN补充产品:PBSS4130QA。
产品特性和优势
- 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效高
- 更低的印刷电路板(PCB)面积要求
- 可焊侧焊盘
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 负载开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关(例如:马达、风扇)
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