
BLF9G20LS-160V技术文档下载:
BLF9G20LS-160V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- HEF4001BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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- 74ABT574ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- UJA1065TW/5V0,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- A5G35S004NT6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MCIMX6Q6AVT08AC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MRF300AN-230MHZ - 射频评估和开发套件,开发板
- MCHC908QT4VDWER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NX3L4053HRZ - 集成电路(IC) > 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器
- MC33FS8410G3ES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MCIMX6DP5EYM1AB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MK50DX128CLK7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PUMD6,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置



BLF9G20LS-160V - Power LDMOS transistor
BLF9G20LS-160V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF9G20LS-160V是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLF9G20LS-160V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF9G20LS-160V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF9G20LS-160V - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS power transistor with improved video bandwidth for base stationapplications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.
产品特性和优势
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low thermal resistance providing excellent thermal stability
- Excellent broadband performance
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use
- Integrated ESD protection
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
产品应用
- RF power amplifier for multi systems base stations and multi carrier applications in the1800 MHz to 2000 MHz frequency range
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