74AUP1G74提供带单独数据（D）输入、时钟（CP）输入、设置（SD）输入和复位（RD）输入以及补充Q和 Q输出的低功耗、低电压单路正沿触发D类触发器。SD和RD为异步有源低电平输入，工作时不受时钟输入的影响。数据输入处的信息会在时钟脉冲从低到高转换时被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和下冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN005-30K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX逻辑电平FET
• BC850CW - NPN通用晶体管
• PBSS4160U - 60 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PMSTA42 - NPN高压晶体管
• 74LVC1G74GD - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• BZT52H-C39 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PDTC123JM - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZV49-C62 - 稳压器二极管
• IP4064CX8 - 集成式SIM卡无源滤波器阵列，ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 74VHC14BQ - 十六进制反相施密特触发器