
PMZ950UPE技术文档下载:
PMZ950UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- OM13092UL - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- 74LV373D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- MC68EC030FE40C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MRFG35005NR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BAS40-05,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 74LVC1G10GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- S9S08AW32E5MFGE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CBT6832CDGG,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- 74LVC1G11GV,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 74LV573DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- 74HC393D/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
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PMZ950UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET
PMZ950UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMZ950UPE是20 V,P沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMZ950UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMZ950UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMZ950UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
P沟道增强模式场效应晶体管(FET)。采用无铅超小型DFN1006-3 (SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用Trench MOSFET技术。
产品特性和优势
- Trench MOSFET技术
- 无铅超小超薄型SMD塑料封装:1.0 × 0.6 × 0.48 mm
- 静电放电(ESD)保护> 1 kV HBM
- 漏极-源极导通电阻RDSon = 1.02 ?
产品应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
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