NX3P191是高端负载开关，具有支持高于500?mA持续电流的带输入浪涌电流降低的低导通电阻P沟道MOSFET以及在禁用时可使输出电容放电的集成式输出放电电阻。专为1.1?V至?3.6 V工作范围而设计的该器件在电源域隔离应用得到使用以降低功耗并延长电池寿命。使能逻辑包括集成式逻辑电平转换，因此该器件与电压较低的处理器和控制器兼容。NX3P191因低接地电流和超低关断电流而非常适合便携式电池供电应用。

• 1.1 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 1.8 V电源电压时为95 mΩ（典型值）
• 高抗噪性
• EN为低电平时的低功耗模式
• 低接地电流（最大2 uA）
• 3.6 V电源电压时的1.2 V控制逻辑
• 高电流处理能力（500?mA连续电流）
• 内部输出放电电阻
• 开启压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• PZU11B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC125D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BC51PAS; BC52PAS; BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• BZA962AVL - 四倍低电容ESD抑制器
• PCA1462U - 带有自适应电机脉冲的32 kHz表电路
• BZV85-C24 - 稳压器二极管
• 74LVC1G19GN - 2选1解码器/解复用器
• 74LVCH2T45GT - 双电源转换收发器；3态
• BUK9K6R2-40E - 双N沟道40 V，6.2 m?逻辑电平MOSFET
• NZX10B - 单倍齐纳二极管