NX3P191是高端负载开关，具有支持高于500?mA持续电流的带输入浪涌电流降低的低导通电阻P沟道MOSFET以及在禁用时可使输出电容放电的集成式输出放电电阻。专为1.1?V至?3.6 V工作范围而设计的该器件在电源域隔离应用得到使用以降低功耗并延长电池寿命。使能逻辑包括集成式逻辑电平转换，因此该器件与电压较低的处理器和控制器兼容。NX3P191因低接地电流和超低关断电流而非常适合便携式电池供电应用。

• 1.1 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 1.8 V电源电压时为95 mΩ（典型值）
• 高抗噪性
• EN为低电平时的低功耗模式
• 低接地电流（最大2 uA）
• 3.6 V电源电压时的1.2 V控制逻辑
• 高电流处理能力（500?mA连续电流）
• 内部输出放电电阻
• 开启压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• 74AVCH2T45 - 双位双电源电压电平转换器/收发器；3态
• PCA9624BS - 8位Fm+ I2C总线100 mA 40 V LED驱动器
• 74AHC3GU04DP - 反相器
• 74LVC1G384GW - 双向开关
• PZU6.8DB2 - 双倍齐纳二极管
• PDTA143ZT - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AUP1T97GW - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PDTA143ZMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK7Y9R9-80E - N-channel 80 V, 9.9 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• 74ALVC125PW - 四路缓冲器/线路驱动器；3态