74AUP2GU04提供两个无缓冲反相门。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX79-B36 - 稳压器二极管
• BFQ149 - PNP 5 GHz宽频带晶体管
• PBHV3160Z - 600 V、0.1 A PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管
• 74ABT20DB - 双路4输入与非门
• SC16IS760IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• 74HCT3G16GD - 三路缓冲器门
• 74AUP1G06GW - 低功耗反相器，带开漏输出
• PMEG1030EJ - 10 V、3 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• PSMN013-100ES - N沟道100 V 13.9m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• PTVS6V5S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器