74AUP1G373提供带3态输出的单路D型透明锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。针脚LE为低电平时，锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。针脚OE为低电平时，锁存器的内容可在输出处获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。输入针脚OE的操作不会影响锁存器的状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT4051PW - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• 74AUP2G07 - 低功耗双路缓冲器，带开漏输出
• 74HCT138BQ - 3至8线路解码器、解复用器；反相
• PSMN004-60B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BLF8G27LS-100P - 功率LDMOS晶体管
• PZU22B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA9952TW - 16通道Fm+ I2C总线57 mA恒流LED驱动器
• A7005CAHN1 - 安全验证微控制器
• BAT721 - 单倍肖特基势垒二极管
• BLF8G20LS-400PGV - 功率LDMOS晶体管