74ALVT16543是高性能BiCMOS产品，设计用于2.5 V或3.3 V的VCC操作，I/O兼容性高达5 V。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

74ALVT16543包含两组八个D型锁存器，每组都具有单独的控制针脚。以A到B的数据流为例， A到B的使能(nEAB)输入和A到B的锁存使能(nLEAB)输入为低电平时，A到B的路径是透明的。

nLEAB信号的后续低电平至高电平跃迁会将A数据放入存储其的锁存器中，且B输出不再随A输入变化。nEAB和nOEAB都为低电平时，3态B输出缓冲器处于激活状态并且会显示A锁存器输出处存在的数据。

控制B到A的数据流类似，不过其使用的是nEBA、nLEBA和nOEBA输入。

提供有源总线保持电路是为了使闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 16位总线接口
• 兼容5 V I/O
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA/-32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电3态
• 上电重置
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000 V，根据机器模型则超过200 V

• PMZ950UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• BUK9Y4R4-40E - N沟道40 V，4.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HC174PW - 带复位功能的六频D型触发器；正沿触发器
• PZU10B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA9554PW - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• IP4364CX8 - 集成式SIM卡无源滤波器阵列，ESD保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• BLF6G15L-40RN - 功率LDMOS晶体管
• BAV20; BAV21 - 通用二极管
• PTVS64VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PEMB16 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm