HEF4557B是静态时钟串行移位寄存器，长度可设置为介于1和64之间的任何数量的位。所选位的数量等于使能的长度控制输入（L1、L2、L4、L8、L16和L32）的下标的总和。串行数据可能会通过A/B选择输入从DA或DB数据输入进行选择。该特性对循环目的而言非常有用。如果CP1为低电平时CP0从低电平跃迁至高电平或CP0为高电平时CP1从高电平跃迁至低电平，DA或DB上出现的信息就会移位到第一个寄存器位置且寄存器中的所有数据都会右移一个位置。无论其他输入如何，主复位(MR)上的高电平都会复位寄存器并将Q强制为低电平，将Q强制为高电平。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PEMH17; PUMH17 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 74AHC2G00DC - 双路2输入与非门
• SA56004BDP - SMBus兼容型8针脚远程/本地数字温度传感器，带过温警报
• BZV55-B6V2 - 稳压器二极管
• XC7SH125 - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK663R5-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PSMN3R9-60PS - N沟道60 V，3.9 m?标准电平MOSFET，采用SOT78封装
• BLF178XR - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G79GX - 低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74AUP1Z125GN - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管；3态