74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74LVC1G125GW - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX384-C5V1 - 稳压器二极管
• 74AHCT1G126GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• 74LVCH244ABX - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• MF0MOU2101DA8 - MIFARE Ultralight C - Contactless ticket IC
• PSMN057-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74AUP1G38GX - 低功耗2输入与非门（开漏）
• BLF2425M6L(S)180P - 功率LDMOS晶体管
• 74HCT40105DB - 4位 x 16字FIFO寄存器