74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PEMH17; PUMH17 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 74AHCT541PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVTH125BQ - 3.3 V四路缓冲器；3态
• 74AHC138PW - 3至8线路解码器/解复用器；反相
• NZX3V6C - 单倍齐纳二极管
• NX3008NBKW - 30 V，350 mA N沟道Trench MOSFET
• BUK7509-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC1G04GF - 单路反相器
• BC847BMB - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• 74LVT04DB - 3.3 V六频逆变器