74AUP1G19提供带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出针脚1Y（真正）或2Y（补充），具体取决于使能输入针脚E的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74ABT245DB - 八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• PHPT60415NY - 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor
• 74LVC3G14GM - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74AUP1G86GX - 低功耗2输入异或门
• SC16IS741AIPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• 74LVC374ABQ - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BUK7E04-40A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PESD5V0X2UM - 超低电容单向双ESD保护二极管
• NX1029X - 60 / 50 V，330 / 170 mA N/P沟道Trench MOSFET
• PHPT61003NY - 100 V、3A NPN高功率双极性晶体管