74AUP1G86提供单路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BZV49 series - 稳压器二极管
• BC51PAS; BC52PAS; BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• BAS40H - 通用肖特基二极管
• PMV160UP - 20 V，1.2 A P沟道Trench MOSFET
• PMBT4401YS - 40 V, 600 mA, double NPN switching transistor
• PBHV8115Z - 150 V，1 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• CBTD16211 - 24位电平转换总线交换开关，具有12位输出使能
• BSP41; BSP43 - NPN中等功率晶体管
• BLF7G15LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• 74AXP1G10GS - 低功耗3输入与非门