74LVC3G14提供三个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PSMN7R0-100BS - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。
• UBA2211 - Non-dimmable driver IC for CFL
• BLF8G22LS-220 - 功率LDMOS晶体管
• 74LVC3G17GN - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PMZ390UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
• BZV85-C68 - 稳压器二极管
• 74HCT132D - 四路2输入与非施密特触发器
• PHP191NQ06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU5.6DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74HC2G04GW - 双路反相器