74AUP1G19提供带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出针脚1Y（真正）或2Y（补充），具体取决于使能输入针脚E的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT11PW - 三路3输入与门
• PSMN016-100YS - N沟道100 V 16.3 m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 74AUP2G04GF - 低功耗双路反相器
• PESD5V0U4BW - 超低电容双向四倍ESD保护阵列
• 74LVT2244D - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻（3态）
• BGA7130 - 400 MHz至2700 MHz 1 W高线性度硅放大器
• 74AUP1G79GS - 低功耗D型触发器；正沿触发器
• 74HC4094PW - 8级移位和存储总线寄存器
• PZU6.8B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMZ350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET