74AUP1G19提供带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出针脚1Y（真正）或2Y（补充），具体取决于使能输入针脚E的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• TDZ3V9J - 单倍齐纳二极管
• 74AXP1G07 - Low-power buffer with open-drain output
• PMZ600UNE - 20 V，N沟道Trench MOSFET
• 74ALVCH16373 - 2.5 V/3.3 V 16位D型透明锁存器；3态
• PESD5V0U1BA - 超低电容双向ESD保护二极管
• PSMN9R0-25MLC - N沟道25 V 8.65 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• XC7WH14DP - 三路反相施密特触发器
• 74ALVCH16841DGG - 20位总线接口D型锁存器（三态）
• PEMH10; PUMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BGA2711 - MMIC宽带放大器