74AUP1G175提供带单独数据（D）输入、时钟（CP）输入、主复位（MR）输入和Q输出的低功耗、低电压正沿触发D类触发器。主复位（MR）为异步有源低电平输入，工作时不受时钟输入的影响。数据输入处的信息会在时钟脉冲从低到高转换时被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和下冲<VCC小于10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74AHC3GU04DP - 反相器
• HEF40175BT - 四路D型触发器
• 74HC373BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• PESD5V0L4UF - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• PHB191NQ06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMBT3904 - NPN开关晶体管
• HEF4557B - 1至64位可变长度移位寄存器
• BLM7G24S-30BG - LDMOS 2级功率MMIC
• BC69-16PAS - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• 74AHCT594BQ - 8位移位寄存器，带输出寄存器