HEF40175B为四路边沿触发的D型触发器，具有四个数据输入端（D0至D3）、一个时钟输入端(CP)、一个覆盖异步主复位输入端(MR)、四个缓冲输出端（Q0至Q3）和四个互补缓冲输出端（Q0至Q3）。当MR为高电平时，D0至D3上的信息将在CP从低电平至高电平转变时传输至Q0至Q3。当为低电平时，MR将复位所有触发器（Q0至Q3为低电平；Q0至Q为高电平），无论CP以及D0至D3的情况如何。

其建议的VDD电源电压范围为3 V至15 V，以VSS为基准（通常为接地）。未使用的输入端必须连接至VDD、VSS或其他输入端。

• 完全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准的对称输出特性
• 指定温度范围：40 ℃至+125 ℃
• 符合JEDEC标准JESD 13-B号规定

• 移位寄存器
• 缓冲/存储寄存器
• 模式发生器

• PSMN057-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PDTC144EMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZX585-C3V3 - 稳压器二极管
• 74VHC244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN3R3-80PS - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• BGU8010 - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass
• PBSS4620PA - 20 V、6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BZX585-B3V3 - 稳压器二极管
• NZH24C - 单倍齐纳二极管
• BSP41; BSP43 - NPN中等功率晶体管