HEF40175B为四路边沿触发的D型触发器，具有四个数据输入端（D0至D3）、一个时钟输入端(CP)、一个覆盖异步主复位输入端(MR)、四个缓冲输出端（Q0至Q3）和四个互补缓冲输出端（Q0至Q3）。当MR为高电平时，D0至D3上的信息将在CP从低电平至高电平转变时传输至Q0至Q3。当为低电平时，MR将复位所有触发器（Q0至Q3为低电平；Q0至Q为高电平），无论CP以及D0至D3的情况如何。

其建议的VDD电源电压范围为3 V至15 V，以VSS为基准（通常为接地）。未使用的输入端必须连接至VDD、VSS或其他输入端。

• 完全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准的对称输出特性
• 指定温度范围：40 ℃至+125 ℃
• 符合JEDEC标准JESD 13-B号规定

• 移位寄存器
• 缓冲/存储寄存器
• 模式发生器

• PMN34UP - 20 V，5 A P沟道Trench MOSFET
• PEMD19; PUMD19 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• PEMB16 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• 74AHCT244PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LV74 - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74VHCT595D - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• 74LVC1G175GM - 带复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT541PW - 八频缓冲器/线路驱动器（三态）
• NX3DV3899HR - 双双刀双掷模拟开关
• PSMN013-100ES - N沟道100 V 13.9m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。