74ALVT16823 18位总线接口寄存器设计用于取消缓冲现有寄存器所需的额外封装，并提供额外数据宽度，用于总线进行奇偶校验的更宽数据/地址路径。

74ALVT16823具有带时钟使能（引脚nCE）和主复位（引脚nMR）的两个9位宽缓冲寄存器，它们非常适合用于高微编程系统中的奇偶校验总线连接。

这些寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器Q输出。

它设计用于I/O兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

• 两组带正沿触发D类触发器的高速并行寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 非常适用于要求高速、轻负载或增大扇入的MOS微控制器
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电三态
• 上电复位
• 输出连接至5 V总线时不加载任何总线电流
• 输出能力：+64 mA到-32 mA
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• RB751CS40 - 单倍肖特基势垒二极管
• PEMH17; PUMH17 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 1N4737A - 稳压器二极管
• TDA8953J - 2 x 210 W D类功率放大器
• 74HC(T)2G17 - 双路非反相施密特触发器
• SSL5257TE - Compact high power factor dimmable LED driver IC with integrated 700 V, 10 Ω Mosfet (v2)
• 74LVT162374DGG - 带30 Ohm终端电阻的3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• BF861B - N沟道FET
• BZX79-C6V2 - 稳压器二极管
• BLF8G20LS-400PGV - 功率LDMOS晶体管