74ALVT16823 18位总线接口寄存器设计用于取消缓冲现有寄存器所需的额外封装，并提供额外数据宽度，用于总线进行奇偶校验的更宽数据/地址路径。

74ALVT16823具有带时钟使能（引脚nCE）和主复位（引脚nMR）的两个9位宽缓冲寄存器，它们非常适合用于高微编程系统中的奇偶校验总线连接。

这些寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器Q输出。

它设计用于I/O兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

• 两组带正沿触发D类触发器的高速并行寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 非常适用于要求高速、轻负载或增大扇入的MOS微控制器
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电三态
• 上电复位
• 输出连接至5 V总线时不加载任何总线电流
• 输出能力：+64 mA到-32 mA
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• 74HC27DB - 三路3输入或非门
• PBSS4021SN - 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BAS16LD - 单个高速开关二极管
• BZX884-B33 - 稳压器二极管
• PMBD7000 - 两个高速开关二极管
• PESD24VS4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
• PZU5.6B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• CLF1G0060S-10 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PZU3.6B2A - 单倍齐纳二极管
• 74LVC2G66GD - 双向开关