74AUP1Z04结合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而将该器件置于低功耗禁用模式，其中X1通过RPU拉至高电平、X2设置为低电平、Y设置为高电平。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z04因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT132DB - 四路2输入与非施密特触发器
• 74LVT245BDB - 3.3 V八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• SC26C92C1A - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• HTSICH5601EW - HITAG S应答器IC
• PHP20NQ20T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AUP1G175GW - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• BZB84-C12 - 双倍齐纳二极管
• 74AUP2G02GT - 低功耗双路2输入或非门
• 74AUP1G14GS - 低功耗施密特触发反相器
• PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术