74AUP1G157是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以真正（非反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• CBTW28DD14ET - 适合DDR2/DDR3/DDR4应用的14位总线开关/多路复用器
• NZX3V6C - 单倍齐纳二极管
• 74HC3G07GD - 三路缓冲器，带开漏输出
• 74AUP1G132 - Low-power 2-input NAND Schmitt trigger
• 74AVC16836ADGG - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• PBSS4041SN - 60 V，6.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• 74AUP1G885DC - 低功耗双功能门
• BLF7G15LS-300P - 功率LDMOS晶体管
• NZH12B - 单倍齐纳二极管
• 74HC2G32DP - 双路2输入或门