14位总线开关/多路复用器(MUX)专门针对1.5 V或1.8 V电源电压操作、POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令以及CMOS选择输入电平而设计。其专为在DDR2、DDR3和DDR4存储器总线系统中的操作而设计。

CBTW28DD14具有一个1 : 2开关或2 : 1多路复用拓扑，并提供一个14位宽的总线。每个14位宽的A端口可以同时针对所有位切换到B和C这两个端口的其中之一。端口选择通过简单的CMOS输入(SELect)进行。另一个CMOS输入(ENable)可使所有端口都断开。由于使用FET开关，每个端口都无方向性，从而可实现需要高带宽开关或多路复用的多种应用。

SEL和EN输入信号设计为在1.5 V和1.8 V这两个电源电压条件下透明地作为CMOS输入电平信号进行操作。

CBTW28DD14采用恩智浦专有的高速开关架构，提供高带宽、低频率下极低的插入损耗以及极低的传播迟延，允许用于需要切换或多路复用高速信号的众多应用。为实现相对于电路板布局密度的最佳尺寸，其采用具有0.5 mm引脚间距的4.5 mm x 4.5 mm TFBGA48封装。其特点是工作温度范围为-10 °C至+85 °C。

拓扑

• 14位总线宽度
• 1 : 2开关/MUX拓扑
• 双向操作
• 单CMOS选择针脚(SEL)
• 单CMOS使能针脚(EN)

性能

• 2.5 GHz带宽
• 低导通插入损失
• 低串扰
• 高关断隔离
• POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令
• 低RON（典型值：10Ω）

一般属性

• 1.5 V或1.8 V电源电压操作
• 极低电源电流（典型值：300 μA）
• ESD抗击打能力超过3 kV HBM、1 kV CDM
• 采用TFBGA48封装，4.5 mm × 4.5 mm × 0.8 mm大小，0.5 mm间距，无铅/深绿

• DDR2/DDR3/DDR4存储器总线系统
• 需要高速多路复用的系统

• BZX84-A5V6 - 稳压器二极管
• PESD12VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• BZX384-C9V1 - 稳压器二极管
• XC7SET86GW - 2输入异或门
• PMDT290UNE - 20 V，800 mA双N沟道Trench MOSFET
• BUK9606-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU4.3B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HC107DB - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• BAP64LX - 硅PIN二极管
• 74HCT157PW - 四路2输入多路复用器