14位总线开关/多路复用器(MUX)专门针对1.5 V或1.8 V电源电压操作、POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令以及CMOS选择输入电平而设计。其专为在DDR2、DDR3和DDR4存储器总线系统中的操作而设计。

CBTW28DD14具有一个1 : 2开关或2 : 1多路复用拓扑，并提供一个14位宽的总线。每个14位宽的A端口可以同时针对所有位切换到B和C这两个端口的其中之一。端口选择通过简单的CMOS输入(SELect)进行。另一个CMOS输入(ENable)可使所有端口都断开。由于使用FET开关，每个端口都无方向性，从而可实现需要高带宽开关或多路复用的多种应用。

SEL和EN输入信号设计为在1.5 V和1.8 V这两个电源电压条件下透明地作为CMOS输入电平信号进行操作。

CBTW28DD14采用恩智浦专有的高速开关架构，提供高带宽、低频率下极低的插入损耗以及极低的传播迟延，允许用于需要切换或多路复用高速信号的众多应用。为实现相对于电路板布局密度的最佳尺寸，其采用具有0.5 mm引脚间距的4.5 mm x 4.5 mm TFBGA48封装。其特点是工作温度范围为-10 °C至+85 °C。

拓扑

• 14位总线宽度
• 1 : 2开关/MUX拓扑
• 双向操作
• 单CMOS选择针脚(SEL)
• 单CMOS使能针脚(EN)

性能

• 2.5 GHz带宽
• 低导通插入损失
• 低串扰
• 高关断隔离
• POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令
• 低RON（典型值：10Ω）

一般属性

• 1.5 V或1.8 V电源电压操作
• 极低电源电流（典型值：300 μA）
• ESD抗击打能力超过3 kV HBM、1 kV CDM
• 采用TFBGA48封装，4.5 mm × 4.5 mm × 0.8 mm大小，0.5 mm间距，无铅/深绿

• DDR2/DDR3/DDR4存储器总线系统
• 需要高速多路复用的系统

• BZB84-C6V2 - 双倍齐纳二极管
• 74HCT00BQ - 四路2输入与非门
• BSP50 - NPN达林顿晶体管
• PTVS28VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74AVCH20T245DGG - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• MMBZ12VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
• SSL21084AT - 可调光LED驱动器IC
• BGA2031 - MMIC variable gain amplifier
• PTVS30VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74AHCT377D - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器