74AUP1G885在单一器件内提供两种函数。输出（1Y、2Y）的输出状态由输入（A、B和C）确定。输出1Y提供布尔函数： 1Y = A × C。输出2Y提供布尔函数：2Y = A × B + A × C。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PCF8578HT - 适用于点阵图形显示的LCD行/列驱动器
• PZU27B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA8539DUG - 100 x 18覆晶玻璃车载LCD点阵式驱动器
• BZT52H-C3V6 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PUMH13 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PESD5V0L1BSF - 超薄双向低电容ESD保护二极管
• BLF6G20(LS)-110 - 功率LDMOS晶体管
• 74HC368DB - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• 74AHCT244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PTN36241BBS - SuperSpeed USB 3.0转接驱动器