
74AUP1G885DC技术文档下载:
74AUP1G885DC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MIMX8MM5DVTLZCA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 片上系统(SoC)
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- PDTD123YQAZ - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- 13226PRO-DBG - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- UJA1131HW/FD/3V/0Y - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用



74AUP1G885DC - 低功耗双功能门
74AUP1G885DC是NXP恩智浦公司的一款组合产品,74AUP1G885DC是低功耗双功能门,本站介绍了74AUP1G885DC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP1G885DC相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP1G885DC - 低功耗双功能门 - 组合 - 门 - 恩智浦
产品描述
74AUP1G885在单一器件内提供两种函数。输出(1Y、2Y)的输出状态由输入(A、B和C)确定。输出1Y提供布尔函数: 1Y = A × C。输出2Y提供布尔函数:2Y = A × B + A × C。
所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。
该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。
该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出,从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大值)
- 根据JESD78 II类,锁存性能超过100 mA
- 输入接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
- IOFF电路提供部分掉电模式操作
- 多个封装选项
- 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃
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