74AUP1G08提供单路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74VHC245BQ - 八进制总线收发器；3态
• IP4292CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护
• 74HC4051PW - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• PMEG4010EP - 1 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BUK9Y7R2-60E - N沟道60 V，7.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BZV55-B4V7 - 稳压器二极管
• BUK9Y07-30B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PESDxL2BT series - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• 74LVC1G58GN - 低功耗可配置多功能门
• BUK7Y29-40E - N-channel 40 V, 29 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56