74AUP1G08提供单路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74VHCT126D - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PCA2117DUGR - 适用于字符显示的车载LCD驱动器
• BGU7032 - 带旁通功能的1 GHz宽带低噪声放大器
• PTN36242LBS - 双端口SuperSpeed USB 3.0转接驱动器
• PBHV8515QA - 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
• PCA9509PGM - 低功率电平变换I2C总线/SMBus转发器
• BUK9575-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HCT1G02GV - 2输入或非门
• BC857BW - PNP通用晶体管
• BLF8G38LS-75V - 功率LDMOS晶体管