HEF4021B是8位静态移位寄存器（并串转换器），具有一个同步串行数据输入（DS）、一个时钟输入（CP）、一个异步有源高电平并行加载输入（PL）、八个异步并行数据输入（D0至D7）和来自最后三级的缓冲并行输出（Q5至Q7）。

每个寄存器级为D类主-从触发器，具有一个直接设置（SD）和一个直接清零（CD）输入。PL为高电平时，D0至D7上的信息会被异步加载入寄存器，而不受CP和DS的影响。PL为低电平时，DS上的数据会被移动到第一个寄存位置，并且在发生CP从低到高转换时，寄存器中的所有数据都会向右移动一位。施密特触发器动作使时钟输入高度容许较缓慢的时钟上升时间和下降时间。

它在以VSS（通常接地）为基准的3 V至15 V VDD建议电源电压范围内工作。闲置的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。它还适用于工业温度范围（-40 ℃至+85 ℃）和汽车温度范围（-40 ℃至+125 ℃）。

• 容许缓慢的上升时间和下降时间
• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数等级
• 标准化对称输出特性
• 在-40 ℃至+125 ℃的汽车温度范围下工作
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• BLL6H1214-500 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
• PDTA123TT - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PZU6.2B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCA9629APW - Fm+ I2C-bus advanced stepper motor controller
• 74LVC06AD - 六位元反相器，带开漏输出
• PMEG3020EH - 30 V、2 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BZX384-C33 - 稳压器二极管
• PSMN030-150P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74ALVC164245DGG - 16位双电源转换收发器；3态
• BAT86 - 单倍肖特基势垒二极管