74AUP1G08提供单路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLP25M710 - 宽带LDMOS驱动晶体管
• 74HC390DB - 双路十进制纹波计数器
• 74LVC3G34GS - 三路缓冲器
• BZX84J-B24 - 单倍齐纳二极管
• 74ALVC573BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• PSMN8R7-80PS - N沟道80 V 8.7 m?标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• PTN3460BS - eDP至LVDS桥接IC
• 74AHCT244PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• SL2ICS5311EW - ICODE SLI-S/ICODE SLI-S HC
• PMPB95ENEA - 80 V，单N沟道Trench MOSFET