74AUP1G08提供单路2输入与功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX84J-B68 - 单倍齐纳二极管
• NPIC6C595PW - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• 74ALVT162821DGG - 2.5 V / 3.3 V 20位总线接口D型触发器，正沿触发器，带 30 Ohm终端电阻（三态）
• MMBZ20VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• PDTA115TT - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• 74AUP1G06GS - 低功耗反相器，带开漏输出
• BUK762R7-30B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PBSS4021NT - 20 V，4.3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BCP55-16 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• SL3S5002N0FUD - UCODE DNA