74ALVC573是八进制D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态真正输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

针脚LE为高电平时，D输入（针脚D0至D7）处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。针脚LE为低电平时，锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。

针脚OE为低电平时，八个锁存器的内容可在Q输出（针脚Q0至Q7）上获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。输入针脚OE的操作不会影响锁存器的状态。

74ALVC573在功能上等同于74ALVC373，但针脚排列不同。

• 1.65 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 3.6 V容压输入/输出
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口（2.7 V至3.6 V）
• 掉电模式
• 闭锁性能超过250 mA
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A 115-A超过200 V

• PBSS4021SN - 20 V，7.5 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PUMD24 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• BLF8G20LS-160V - Power LDMOS transistor
• XC7SH14GV - 反相施密特触发器
• 74HCT4538D - 双可再触发精密单稳态多谐振荡器
• PSMN038-100K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PBSM5240PFH - 40 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有N沟道Trench MOSFET
• BZT52H-B3V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• GTL2000DGG - 22位双向低电压变换器
• 74LVC163D - 可预置同步4位二进制计数器；同步复位