74LVT16501A是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。该器件是18位通用收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。

每个方向上的数据流都通过输出使能（OEAB和OEBA）锁存使能（LEAB和LEBA）以及时钟（CPAB和CPBA）输入进行控制。

对于A到B的数据流，LEAB为高电平时该器件在透明模式下工作。LEAB为低电平时，如果CPAB保持在高电平或低电平，则A数据会被锁存。如果LEAB为低电平，则A数据会在CPAB从低电平跃迁至高电平时被存储在锁存器/触发器中。OEAB为高电平时，输出处于激活状态。OEAB为低电平时，输出处于高阻抗状态。

B到A的数据流类似于A到B的，不过其使用的是OEBA、LEBA和CPBA。输出使能为互补型（OEAB是高电平有效，而OEBA是低电平有效）。

提供有源总线保持电路是为了使闲置或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。

• 18位双向总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+64 mA至-32 mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5 V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 上电重置
• 上电3态
• 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
• 正沿触发的时钟输入
• 闭锁保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883方法3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• 74AUP2G157DC - 低功耗2输入多路复用器
• 74HCT40105DB - 4位 x 16字FIFO寄存器
• BC817 - 45 V，500 mA NPN通用晶体管
• 74HCT4075PW - 三路3输入或门
• BLF10H6600PS - 功率LDMOS晶体管
• PESD5V0V1BCSF - 超薄双向极低电容ESD保护二极管
• 74AUP1G125GM - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HCT245BQ - 八进制总线收发器；3态
• PCF8583T - 带240 x 8位RAM的时钟和日历
• BZB984-C3V6 - 双倍稳压器二极管