74ALVT162821高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT162821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

74ALVT162821设计在高电平或低电平输出级内使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。该系列端接电阻可降低过冲和欠冲，非常适用于驱动存储器阵列。

• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+12mA/-12mA
• 根据Jedec Std 17 ，锁存保护超过500mA
• 根据MIL STD 883 Method 3015，ESD保护超过2000 V；根据机器模型，ESD保护超过200V
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入

• BZB84-B11 - 双倍齐纳二极管
• 74LVT162245BDGG - 3.3 V LVT 16位收发器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装
• 74HCT4060BQ - 14级二进制纹波计数器，带振荡器
• PMBFJ309 - N沟道硅FET
• PCA9501 - 带有中断、2-kbit EEPROM和6个地址引脚的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• BZX884-C9V1 - 稳压器二极管
• 74LVC1G00 - 单路2输入与非门
• BAV23A - 两个高压开关二极管
• PESD5V0V1BSF - 超薄双向极低电容ESD保护二极管