74ALVT162821高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT162821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

74ALVT162821设计在高电平或低电平输出级内使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。该系列端接电阻可降低过冲和欠冲，非常适用于驱动存储器阵列。

• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+12mA/-12mA
• 根据Jedec Std 17 ，锁存保护超过500mA
• 根据MIL STD 883 Method 3015，ESD保护超过2000 V；根据机器模型，ESD保护超过200V
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入

• IP4387CX4 - 集成式高性能ESD保护二极管
• 74AUP2G07GN - 低功耗双路缓冲器，带开漏输出
• 74AUP1G97GX - Low-power configurable multiple function gate
• PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK7109-75ATE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BUK7908-40AIE - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• PCF85363ATT - Tiny Real-Time Clock/calendar with 64 byte RAM, alarm function, battery switch-over time stamp input, and I2C-bus
• BUK7880-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PCF8570T - 带有I2C总线接口的256 x 8位静态低电压RAM
• PZU8.2B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管