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当前位置:NXP公司 > > NXP恩智浦芯片(数据更新于2026年3月13日)
  • PBLS1503Y; PBLS1503V - 15 V PNP BISS负载开关
  • BLF184XRS - 功率LDMOS晶体管
  • BLF8G09LS-400PGW - 功率LDMOS晶体管
  • PCA9536 - 4位I2C总线和SMBus I/O端口
  • 74LVC2G14GM - 双路反相施密特触发器,带5 V容压输入
  • PBSS5160U - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
  • BCP69-16 - 20 V,2 A PNP中等功率晶体管
  • BZB84-C16 - 双倍齐纳二极管
  • TDZ18J - 单倍齐纳二极管
  • 74LVT162244BDGG - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器,具有30 Ohm端接电阻
  • 74HC73PW - 带复位功能的双频JK触发器;负沿触发器
  • SSL5301T - 高性能市电可调光LED控制器IC v1
  • 74LVC1G3157GN - 2通道模拟多路复用器/解复用器
  • 74HC240BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器;3态;反相
  • BZX884-B13 - 稳压器二极管
  • P5CD020X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
  • 1PS301 - 两个高速开关二极管
  • BLM7G22S-60PB(G) - LDMOS 2级功率MMIC
  • BZV55-C30 - 稳压器二极管
  • PCA8546BTT - 4 x 44车载LCD驱动器
  • MMBZ15VAL - 低电容单向双ESD保护二极管
  • 2PA1774RM - PNP通用晶体管
  • P5CC081 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
  • PDTD113EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
  • HEF40373B - 八进制透明锁存器,具有3态输出
  • 2PC4081 - NPN通用晶体管
  • BC857BMB - 45 V,100 mA PNP通用晶体管
  • PDTC143ZU - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kΩ,R2 = 47 kΩ
  • BLF7G24L(S)-140 - 功率LDMOS晶体管
  • PBLS4003Y - 40 V PNP BISS负载开关
  • 74HCT367D - 六位元缓冲器/线路驱动器;3态
  • BZX84J-B47 - 单倍齐纳二极管
  • BLS7G3135LS-350P - LDMOS S波段雷达功率晶体管
  • 74LVC1G99GT - 超可配置多功能门;3态
  • BGU8H1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
  • PZU12B2A - 单倍齐纳二极管
  • BAS101S - 高压开关二极管
  • BUK9Y27-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
  • NTSX2102GD - 双电源转换收发器;开漏;自动方向感应
  • PCA2002 - 带有可编程输出周期和脉冲宽度的32 kHz表电路
  • 74AUP3G34GF - 低功耗三路缓冲器
  • 74HC257D - 四路2输入多路复用器;3态
  • BLF7G27L(S)-90P - 功率LDMOS晶体管
  • PTVS14VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
  • 74LVC1G123GD - 单可再触发单稳态多谐振荡器;施密特触发器输入
  • PESD5V0F1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
  • BGA2851 - MMIC宽带放大器
  • PZU4.7DB2 - 双倍齐纳二极管
  • 74LV4066PW - 四路双向开关
  • 74HC74BQ - 带设置和复位功能的八频D型触发器;正沿触发器
  • MF1PLUS6001DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
  • PTVS12VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
  • 74AUP1G332GW - 低功耗3输入或门
  • PUMD4 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 10 kOhm,R2 = 开路
  • 74AUP1G58GN - 低功耗可配置多功能门
  • PTVS10VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
  • BFT92W - PNP 4 GHz宽频带晶体管
  • BZX84J-B62 - 单倍齐纳二极管
  • 74ABT126PW - 四路缓冲器;3态
  • BLF6G38(LS)-100 - WiMAX功率LDMOS晶体管
  • 承诺原装正品
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