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恩智浦芯片
74LVT16500A - 3.3 V 18位通用总线收发器;3态
NZX13A - 单倍齐纳二极管
74HC174D - 带复位功能的六频D型触发器;正沿触发器
PSSI2021SAY - 采用SOT353封装的恒流源
PESDxS4UD series - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
74HC40103 - 8位同步二进制下行计数器
TFF11084HN - 低相位噪声本振发生器
HEF4049BT - 六位元反相缓冲器
SL2S2602FUD - ICODE SLIX2
UJA1066TW - 高速CAN故障安全系统基础芯片
74HCT540DB - 八位元缓冲器/线路驱动器;3态;反相
74AHC125BQ - 四路缓冲器/线路驱动器;3态
BLP10H603 - 宽带LDMOS驱动器晶体管
BZX384-B47 - 稳压器二极管
NT2H1611F0DTL - NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 888 bytes user memory and field detection
74LVT16245BDL - 3.3 V 16位收发器;3态
BB201 - 低压变容双二极管
74LVC163BQ - 可预置同步4位二进制计数器;同步复位
74LVC1G04GX - 单路反相器
74AXP1G10GS - 低功耗3输入与非门
BZV85-C51 - 稳压器二极管
BLF7G22L(S)-130 - 功率LDMOS晶体管
PDTC115ET - NPN配电阻晶体管;R1 = 100 kOhm,R2 = 100 kOhm
74HC2G86DC - 双路2输入异或门
74LVC10APW - 三路3输入与非门
BZX384-C51 - 稳压器二极管
PMST5088; PMST5089 - NPN通用晶体管
PESD3V3S4UD - 采用SOT457封装的四倍ESD保护二极管阵列
NZX8V2A - 单倍齐纳二极管
PSMN039-100YS - N沟道LFPAK 100 V 39.5 m?标准电平MOSFET
PDTA114YU - PNP配电阻晶体管;R1 = 10 kΩ,R2 = 47 kΩ
74LVC2G17GF - 双路非反相施密特触发器,带5 V容压输入
PMDPB70XP - 30 V,双P沟道Trench MOSFET
PESD5V0F1BRLD - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
74HC(T)1G32 - 2输入或门
TDA8029HL - 低功耗单卡读卡器
BZX84-A6V2 - 稳压器二极管
P60D144PA6 - 安全高性能双接口智能卡控制器
BZV49-C3V6 - 稳压器二极管
74AUP1G57GW - 低功耗可配置多功能门
BZX84-B20 - 稳压器二极管
PCA9530 - 2位I2C总线LED调光器
74LVC1G00GS - 单路2输入与非门
BCM856BS - PNP/PNP匹配双晶体管
PSMN014-80YL - N-channel 80 V, 14 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
PEMD20 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 2.2 kOhm
74LV138D - 3至8线路解码器/解复用器;反相
PTVS6V5S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
74LVC1G53GT - 2通道模拟多路复用器/解复用器
74LVC1G384GN - 双向开关
BLF6G27L(S)-40P(G) - LDMOS功率晶体管
BZX884-B75 - 稳压器二极管
74AHCT1G17GW - 单频施密特触发缓冲器
PSMN3R5-80PS - N沟道80 V,3.5 m?标准电平MOSFET,采用TO-220封装
TFA9895UK - 具有扬声器升压保护的升压D类音频放大器以及多频段动态范围压缩器
74HC595PW - 8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器,带输出锁存器 ;3态
BZX585-B10 - 稳压器二极管
74LVT(H)16374A - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器(三态)
74HCT597DB - 8位移位寄存器,带输出触发器
BLF888A - UHF功率LDMOS晶体管
SL3S1013FTB0 - UCODE G2iM和G2iM+
PCA9534 - 带有中断的8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
BGU7052 - SiGe:C低噪声高线性度放大器
74LVC3G04GN - 三路反相器
BFU730F - NPN宽带硅锗RF晶体管
PEMD19; PUMD19 - NPN/PNP配电阻晶体管;R1 = 22 kOhm,R2 = 开路
CLF1G0060S-10 - 宽带RF功率GaN HEMT
BZT52H-B15 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
74LVTH2245D - 3.3 V八进制收发器,具有30 Ohm端接电阻;3态
BUK7528-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
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