该器件设计用于为高速接口（例如超高速和高速USB组合、SD存储卡3.0和Thunderbolt接口）提供静电放电保护(ESD)。

该器件采用了6个高级ESD保护二极管结构，用于超高速信号线。该器件采用超小型无引脚DFN2111-7 (SOT1358-1)表面贴装设备(SMD)塑料封装。

特殊的二极管结构提供全部信号线保护，具有超低线路电容（仅0.35 pF）。这些二极管利用位回移结构，为接触放电电压高达±15 kV的下游器件提供ESD保护，超越IEC 61000-4-2第四级标准。

• 系统ESD保护，用于USB 2.0和USB 3.1组合、SD存储卡和Thunderbolt接口
• 支持速率为10 Gbps的超高速USB 3.1
• 所有信号线均集成轨到轨钳位二极管，提供±15 kV的下游器件ESD保护，超过IEC 61000-4-2第四级标准
• 通用0.5 mm线距
• 各通道的线路电容仅为0.35 pF
• 方便设计的“直通通道”信号路由

• 便携式设备和可穿戴设备
• 智能手机和平板电脑
• 电视机和显示器
• DVD刻录机和播放器
• 笔记本电脑、主板显卡和端口
• 机顶盒和游戏机

• PTN3700EV - 1.8 V简易移动接口链路桥接IC
• PESD5V0U1UA_UB_UL - 超低电容单向ESD保护二极管
• PESD5V0C1BSF - 超低电容双向ESD保护二极管
• PCMF3DFN1 - 用于差分通道的共模EMI滤波器，带集成式ESD保护
• PDTC114E series - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ
• BZT52H-B47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC377 - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PUSB3TB6 - 用于超高速接口的ESD保护
• 1PS70SB85 - 肖特基势垒（双）二极管
• 74HC1G00GW - 2输入与非门