该器件设计用于为高速接口（例如超高速和高速USB组合、SD存储卡3.0和Thunderbolt接口）提供静电放电保护(ESD)。

该器件采用了6个高级ESD保护二极管结构，用于超高速信号线。该器件采用超小型无引脚DFN2111-7 (SOT1358-1)表面贴装设备(SMD)塑料封装。

特殊的二极管结构提供全部信号线保护，具有超低线路电容（仅0.35 pF）。这些二极管利用位回移结构，为接触放电电压高达±15 kV的下游器件提供ESD保护，超越IEC 61000-4-2第四级标准。

• 系统ESD保护，用于USB 2.0和USB 3.1组合、SD存储卡和Thunderbolt接口
• 支持速率为10 Gbps的超高速USB 3.1
• 所有信号线均集成轨到轨钳位二极管，提供±15 kV的下游器件ESD保护，超过IEC 61000-4-2第四级标准
• 通用0.5 mm线距
• 各通道的线路电容仅为0.35 pF
• 方便设计的“直通通道”信号路由

• 便携式设备和可穿戴设备
• 智能手机和平板电脑
• 电视机和显示器
• DVD刻录机和播放器
• 笔记本电脑、主板显卡和端口
• 机顶盒和游戏机

• PHB20N06T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMBT4403 - 40 V, 600 mA, PNP switching transistor
• PSMN012-100YS - N沟道100 V 12m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
• PZU27B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• A7001CAHN1 - 安全验证微控制器
• PMBTA92 - PNP高压晶体管
• A7002CGHN1 - 安全验证微控制器
• PBSS4160U - 60 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP2G3404GW - 低功耗缓冲器和反相器
• PESD15VS1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管