X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器，具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥，相互之间的相对角度为45°。

表面与芯片（x-y平面）平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个遵循cos(2α)函数，另一个遵循sin(2α)函数；α表示传感器和磁场方向之间的角度。

X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用（饱和磁场强度为25 kA/m）。

传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。

数据手册中的所有产品型号均针对单芯片（单个传感器）有效。双芯片器件集成两个磁场传感器，其电磁参数表征的是单芯片的额定值，并且互相之间无关。

• 角度测量准确可靠
• 持久耐用，非接触式测量
• 永久无磨损
• 测量精度不受机械公差影响
• 宽温度范围

• 转向角和扭矩
• 大灯调节
• 电机位置
• 车窗雨刷
• 燃油液位
• 后视镜位置

• NX2A4WP - A4WP compliant high frequency wireless charging receiver front end
• PSMN3R0-60ES - N沟道60 V 3.0 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• PBHV8515QA - 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
• 74AUP2G34GF - 低功耗双路缓冲器
• PBSS4580PA - 80 V，5.6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PDTC124EM - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• HEF4027B - 双频JK触发器
• 74LVC04A - 六位元反相器
• TEF6606T - 低中频、免校准模拟汽车无线电调谐器IC
• TFF11115HN - 低相位噪声本振发生器