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SE97BTP - DDR存储器模块温度传感器,集成SPD
SE97BTP是NXP恩智浦公司的一款I²C温度/电压监控器产品,SE97BTP是DDR存储器模块温度传感器,集成SPD,本站介绍了SE97BTP的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与SE97BTP相关的NXP元器件型号供参考。
SE97BTP - DDR存储器模块温度传感器,集成SPD - I²C温度/电压监控器 - I²C - 恩智浦
符合JEDEC标准(42.4 TSE2002B1,2009年6月3日)。恩智浦半导体SE97B的测量温度范围为-40 °C至+125 °C,其在+75 °C和+95 °C关键范围内的最大准确度为±1 °C,满足JEDEC B级标准;该器件还集成256字节EEPROM存储器,可通过I2C总线/SMBus进行通信。该器件通常安装在DDR3双列直插式存储器模块(DIMM)上,用来根据最新的JEDEC (JC-42.4)移动平台存储器模块温度传感器组件规格测量DRAM温度,同时还可代替串行存在检测(SPD),以便保存存储器模块和供应商信息。
SE97B热传感器和EEPROM可在3.0 V至3.6 V的VDD范围内工作。
TS集成一个Δ-∑型模数转换器(ADC),以每秒10次的速率监控并更新其自身温度读数,将读数转换为数字数据,同时将数据锁存入数据温度寄存器中。用户可编程寄存器,存储上限/下限警报额定值以及重要温度跳变点、EVENT输出控制和关断温度,为DIMM温度感测应用提供灵活性。
当温度变化超过额定临界值,SE97B通过开漏输出端输出EVENT信号,该输出端可上拉至0.9 V至3.6 V。用户可以自行决定将EVENT输出信号极性设置为低电平有效或高电平有效比较器输出以操作恒温器,也可将其设为温度事件中断输出,以用于基于微处理器的系统。EVENT输出还可配置为仅输出重要温度信号。
EEPROM针对DRAM DIMM SPD而设计。软件可以将较低的128字节(地址00h至7Fh)作为永久写保护(PWP)或可反转写保护(RWP)使用。这样可以存储并写保护DRAM供应商和产品信息。较高的128字节(地址80h至FFh)没有提供写保护,可用作通用数据存储。
SE97B集成单芯片,用于温度传感器和EEPROM以提供更高的可靠性,同时支持工业标准双线式I2C总线/SMBus串行接口。支持SMBus TIMEOUT功能,防止系统锁定。制造商和器件ID寄存器具有确认器件标识的功能。三个地址针脚可在单条总线上控制8个器件。
SE98B仅可作为SE97B热传感器使用。
- JEDEC (JC-42.4) DIMM温度传感器加上256字节串行EEPROM,用于串行存在检测(SPD)
- SDA开漏输出设计,使分布式多点应用具有最佳工作性能
- 关断电流:0.1 μA(典型值);5.0 μA(最大值)
- 上电复位:1.8 V(典型值)
- 双线式接口:兼容I2C总线/SMBus,0 Hz至400 kHz
- SMBus警报响应地址和TIMEOUT 25 ms至35 ms(可编程)
- ESD保护优于JESD22-A114标准的2500 V HBM、JESD22-A115标准的250 V MM和JESD22-C101标准的1000 V CDM
- 完成JEDEC标准JESD78闩锁测试,超过100 mA
- 采用HWSON8封装
- 11位ADC温度-数字转换器,分辨率为0.125 °C
- 电压范围:3.0 V至3.6 V
- 工作电流范围:250 μA(典型值);400 μA(最大值)
- 可编程迟滞阈值:关、0 °C、1.5 °C、3 °C、6 °C
- 过温/欠温/重要温度EVENT输出
- B级准确度:
- ±0.5 °C/±1 °C(典型值/最大值)? +75 °C至+95 °C
- ±1.0 °C/±2 °C(典型值/最大值)? +40 °C至+125 °C
- ±2.0 °C/±3 °C(典型值/最大值)? -40 °C至+125 °C
- 读写电压范围:3.0 V至3.6 V
- 工作电流:
- 写 → 0.6 mA(典型值),3.5 ms(典型值)
- 读 → 100 μA(典型值)
- 256字节一组(256 × 8)
- 100,000次写入/擦除周期,10年数据保存期
- 永久且可逆的软件写保护
- 低128字节的软件写保护
- DDR2和DDR3存储器模块
- 笔记本电脑、个人电脑和服务器
- 企业网络
- 硬盘驱动器和其他PC外设
- 74AUP1G240GX - 低功耗反相缓冲器/线路驱动器;3态
- SCC2691AC1D24 - 通用异步接收器/发送器(UART)
- PDZ6.8B - 稳压器二极管
- 2PB709AW - PNP通用晶体管
- BAT754L - 三倍肖特基势垒二极管
- PDTC143T series - NPN配电阻晶体管;R1 = 4.7 kOhm,R2 = 开路
- 74ALVC125BQ - 四路缓冲器/线路驱动器;3态
- 74HC(T)4851 - 8通道模拟多路复用器/解复用器,具有注流效应控制功能
- 74LVC2G04GN - 双频逆变器
- PBSS5160V - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管



