74AUP2G57是带施密特触发输入的双路可配置多功能门。该器件的每个门可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、 XNOR、反相器和缓冲器；使用3位输入。所有输入都可直接连接到VCC或GND。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• BLS6G2731(S)-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• PSMN4R6-60PS - N沟道60 V，4.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• SA612AD - 双平衡混频器和振荡器
• 74AHC(T)02 - 四路2输入或非门
• PTN3310D - 高速串行逻辑转换器
• PDTC124EMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• 74HCT4051PW - 8通道模拟多路复用器/解复用器
• BZV55-B39 - 稳压器二极管
• 74LVC1G04GS - 单路反相器
• NX3008NBKW - 30 V，350 mA N沟道Trench MOSFET